快速熔断器,快速熔断器和普通熔断器的区别

快速熔断器和普通熔断器的区别

从结构上来说，普通熔断体的熔丝是具有一定几何形状的金属丝构成；而快速熔断器的熔丝除了具有一定形状的金属丝外，还会在上面点上某种材质的焊点，其目的为了使熔丝在过载情况下迅速断开~
从功能上来说，普通熔断体在适当的过载情况下会有一定的允通时间，实际电流超过额定电流值越大熔断时间就越短，相反超过额定熔断电流越小，熔断时间就越长；而快速熔断器就突出“快”，也就是楼上说的灵敏度高，当电路电流一过载，熔丝在焊点的作用下，迅速发热，迅速断开熔丝，好的快速熔断体其效率相当高。
快速熔断器的选择？

　　额定电压：
　　快速熔断器的额定电压UN应稍大于快速熔断器熔断后两端出现的故障电路的外加交流电压。若半导体设备的负荷是有源逆变器、逆变型制动的电动机等逆变型负载时，应考虑半导体器件失控等引起设备直流侧短路的可能性，此时快速熔断器熔断时，熔片两端交流电压与直流电压叠加现象，快速熔断器的额定电压应按下式计算：UN ≥Uac+Udo×1/√2 式中：Uac：快速熔断器熔断后外加交流电压;Udo：半导体设备负载端逆变型直流电压。

　　额定电流：
　　熔断器的额定电流INF是以电路中实际流过熔断器的电流有效值IF为基础，并考虑环境温度、冷却条件、电流裕度等因素影响进行计算。INF≥K×IF 式中：K值一般可取1.5~2。对于自冷式熔断器K取较大值，尤其对熔断器两端连接导线特别短的电路，需取最大值;对水冷式熔断器K取较小值。快速熔断器选用额定电流过大势必增加熔断器的I2tF值，对半导体器件的保护是有害的。
　　分断I2t：
　　当半导体器件与快速熔断器串联工作时，半导体器件允许通过的I2tD值应大于快速熔断器的I2tF值，不然熔断器熔断时，器件也被烧损。二者关系应满足： I2tF≤0.9I2tD 。

　　分断过电压：
　　熔断器在减弧过程中，在线路中产生的过电压，过高的过电压会使半导体器件产生反向击穿，因此分断过电压必须小于或者等于半导体器件允许反向峰值电压。快速熔断器熔断时产生的过电压(峰值)一般为故障电压(方均根值)的2~2.5倍左右。

　　额定分断能力：
　　快速熔断器的额定分断能力应大于半导体设备中快速熔断器分断时流过的故障电流峰值，一般应包括半导体设备中的变压器阀侧内部短路电流值及直流侧短路电流值，不然将会引起快速熔断器炸裂、串弧等事故。
输入电压是660V,快速熔断器应配多大的?

1.快速熔断器的配置

快速熔断器在半导体电力整流器保护中的配置一般分2类。

1.1.变流臂内部并联支路配置保护式,此类型主要用于大功率和超大功率整流器的保护。

1.2..分相配置总体保护式,此类型主要用于中、小功率整流器的保护。

2快速熔断器的选用

也称电压电流法。线路变流变压器的线电压应低于快速熔断器的额定电压。经电力半导体器件与快速熔断器串联短路实验验证，以半导体额定电流乘以系数.一般系数为电子整流元件  快速熔断体额定电流≥1.57×整流元件额定电流。

快速熔断器与普通熔断器的区别

普通熔断体的熔丝是具有一定几何形状的金属丝构成;而快速熔断器的熔丝除了具有一定形状的金属丝外，还会在上面点上某种材质的焊点，其目的为了使熔丝在过载情况下迅速断开~

从功能上来说，普通熔断体在适当的过载情况下会有一定的允通时间，实际电流超过额定电流值越大熔断时间就越短，相反超过额定熔断电流越小，熔断时间就越长;而快速熔断器就突出“快”，也就是楼上说的灵敏度高，当电路电流一过载，熔丝在焊点的作用下，迅速发热，迅速断开熔丝，好的快速熔断体其效率相当高，主要用来保护可控硅和一些电子功率元器件。